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![波长色散 X 射线荧光 (WDXRF)]()
波长色散 X 射线荧光 (WDXRF)
波长色散 X 射线荧光 (WDXRF)波长色散 X 射线荧光 (WDXRF) 是用于元素分析应用的两种通用型 X 射线荧光仪器之一。在 WDXRF 光谱仪中，样品中的所有元素同时被激发。样品发射的特性辐射的不同能量被分析晶体或单色仪衍射到不同方向（类似于棱镜将不同颜色的可见光分散到不同方向）。通过将检测仪置于一定角度，可以测量具有一定波长的 X 射线的强度。连续光谱仪使用测角仪上的移动探测器使其移
2019-05-09
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![能量色散 X 射线荧光 (ED XRF)]()
能量色散 X 射线荧光 (ED XRF)
能量色散 X 射线荧光 (ED XRF) 打印能量色散 X 射线荧光 (EDXRF) 是用于元素分析应用的两种通用型 X 射线荧光技术之一。在 EDXRF 光谱仪中，样品中的所有元素都被同时激发，而能量色散检测仪与多通道分析仪相结合，用于同时收集从样品发射的荧光辐射，然后区分来自各个样品元素的特性辐射的不同能量。EDXRF 系统的分辨率取决于检测仪，通常范围为 150 eV - 600
2019-05-09
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![XRD]()
XRD
X射线衍射 (XRD) 依赖于 X 射线的双波/颗粒性质来获得关于晶体材料结构的信息。该技术的主要用途是根据其衍射图对化合物进行鉴定和特性描述。当单色 X 射线的入射束与目标材料相互作用时，发生的显性效应是，这些 X 射线从目标材料内的原子进行散射。在具有规则结构（即晶体）的材料中，散射的 X 射线会经历相长干涉和相消干涉。这就是衍射的过程。晶体对 X 射线的衍射遵循布拉格定律，nλ = 2dsi
2019-05-09
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![暗电流（Dark Current）]()
暗电流（Dark Current）
势阱收集的是电子，对P-Si衬底来说，是P型半导体的少子。由于热激发，P型半导体总会有少量的电子生成，其数量与温度密切相关，230K~300K范围内少子数量与温度（K）的近似关系如下： 暗电流越小越好，一般以每秒每像素多少个电子给出。Greateyes GE-VAC 1024 256 BI UV1暗噪声0.0005 e-/pixel/sec @ -80℃热激发产生的电子是一种噪声，称为暗噪声（Da
2018-12-04
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![量子效率（Quantum Efficiency）（光谱特性）]()
量子效率（Quantum Efficiency）（光谱特性）
量子效率（Quantum Efficiency）（光谱特性）定义为CCD芯片在一定波长入射光的照射下，由光电效应产生的平均光电子数与入射光子数之比，表征了CCD芯片对不同波长入射光的敏感程度。不同波长的光量子效率不同，CCD对某些波长的量子效率可高达98%。光电子数量：入射方式l 当光从栅极一侧入射时，光会被栅极吸收一部分，并且某些波长的光子可能无法穿过栅极和SiO2绝缘层，量子效率低
2018-12-04
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![CCD的结构、工作原理和制造方法]()
CCD的结构、工作原理和制造方法
CCD结构和工作原理CCD每个像素是一个金属-氧化物-半导体（Metal-Oxidation-Semiconductor, MOS）单元，按制造方法大体上可分为：l 表面沟道电荷耦合器件（SCCD – Surface-channel Charge-Coupled Device）l 隐埋通道电荷耦合器件（BCCD – Buried Channel Charge-Coupled
2018-12-04
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![像素满井容量（Full-Well Capacity）]()
像素满井容量（Full-Well Capacity）
对科学级相机，一般为数百个ke。满井容量与栅极电压UG、绝缘层电容Cox、栅极面积Ad和P-Si掺杂浓度相关：Q=Cox×UG×AdGreateyes内真空相机 GE-VAC 1024 256 BI UV1，像素满井容量为500ke。满井容量高，则动态范围大。上述内容由我司Jerry Huang 整理收集，仅用于知识的分享和共同学习，未经过同意不得擅自转载。
2018-12-04
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![光子计数、像素化X射线探测器（HPC）的电荷共享效应和点扩散效应]()
光子计数、像素化X射线探测器（HPC）的电荷共享效应和点扩散效应
电荷共享效应（Charge-Sharing Effect）和点扩散效应（Charge Diffusion）光子计数、像素化X射线探测器，传感器像素没有类似于CCD列沟阻那样的物理划分，像素是通过焊接球划分的。因此，产生的光电子因电场的作用和扩散，可能会被产生位置临近的几个电极收集，也就是被临近的几个像素共享，必然会导致能量谱失真。传感器芯片越厚，电荷共享效应越严重。电荷共享效应也可称为点扩散效应。
2018-11-16
