Greateyes CCD相机有哪些图像校正(Image Correction)方法1) 暗电流校正(Dark Current Correction)Greateyes CCD相机每行像素左右设置有几个暗像素(哑像素),这些像素被遮盖,不感光,用于测量曝光过程中累积的暗电流电子数,以这些哑像素的暗电流电子数校正像素
2020-03-02
Greateyes CCD内真空相机和外真空相机有何区别?内真空相机和外真空相机都是通过法兰与所测光源连接。内真空相机整体处于真空环境中,而外真空相机只是CCD传感器处于真空环境中。此外,内真空相机整体处于真空环境,减少了机身到CCD传感器之间的热传导,因此,内真空相机可冷却到~-90℃,而外真空相机冷却到~-80℃,即内真空相机受外部环境温度的影响较小。Greateyes CCD相机设备像素与软
2020-03-02
Timepix 3 像素布局、工作模式和像素结构像素布局Timepix 3与Medipix 3相同,像素矩阵也是256 x 256方阵。为了简化高精度时间戳的实现和像素坐标的获取(光子击中位置),256列像素被分为128个双列,每个双列又分成64个超像素(SuperPixel,由4×2=8个55μm×55μm 像素构成)。超像素示意图和像素地址编码如下:其中EoC_address为双列地址(128
2020-03-02
高清 X 射线荧光 (HDXRF) 的优点 打印 XOS 将HDXRF技术应用于玩具和消费品中的管制元素的快速检测高清 X 射线荧光 (HDXRF) 是新一代管制元素检测技术,可帮助制造商和监管机构解决这一重要的公共健康问题。HDXRF 将快速检测和精确度的优势进行了前所未有的结合。HDXRF 的优点快速得出结果更快的测量速度使其能够检查更多的玩具;比传统分析技术快 100 多
2019-08-23
光子计数、像素化X射线探测器(HPC)的阀值等值化(Threshold Equalization) 对Medipix1,2,3和Timepix、Timepix 3芯片来说,当绑定传感器芯片后,就相当于256×256 = 65536个探测器,读出芯片的主要作用是读出这65K个探测器的数据 – 计数值(事件数和/或时间)。而数据是基于探测到的信号与基准的比较结果,基准是全局阀(
2019-08-19
Medipix 3 像素布局、工作模式和像素结构像素布局像素矩阵由256 x 256像素的方阵构成,不同布局的2×2像素方阵组成一个簇(Cluster)。非彩色模式连接所有像素(55 μm x 55 μm)到传感器。彩色模式仅连接上图中的像素P1,每个像素测量110 μm x 110 μm面积。上图给出了像素1与矩阵边缘的距离。工作模式每个像素可配置为3种工作模式:单像素模式(Single Pix
2019-08-19
微 X 射线荧光 (µXRF) 打印微 X 射线荧光 (µXRF) 是一种元素分析技术,它允许检测非常小的样品区域。与传统的 XRF 仪器一样,微 X 射线荧光通过使用直接 X 射线激发来诱导来自样品的特性 X 射线荧光发射,以用于元素分析。与传统 XRF 不同(其典型空间分辨率的直径范围从几百微米到几毫米),µXRF 使用 X 射线光学晶体来限制激发光束尺寸或将激发光束聚焦到样品表面上
2019-05-09
波长色散 X 射线荧光 (WDXRF)波长色散 X 射线荧光 (WDXRF) 是用于元素分析应用的两种通用型 X 射线荧光仪器之一。在 WDXRF 光谱仪中,样品中的所有元素同时被激发。样品发射的特性辐射的不同能量被分析晶体或单色仪衍射到不同方向(类似于棱镜将不同颜色的可见光分散到不同方向)。通过将检测仪置于一定角度,可以测量具有一定波长的 X 射线的强度。连续光谱仪使用测角仪上的移动探测器使其移
2019-05-09
能量色散 X 射线荧光 (ED XRF) 打印能量色散 X 射线荧光 (EDXRF) 是用于元素分析应用的两种通用型 X 射线荧光技术之一。在 EDXRF 光谱仪中,样品中的所有元素都被同时激发,而能量色散检测仪与多通道分析仪相结合,用于同时收集从样品发射的荧光辐射,然后区分来自各个样品元素的特性辐射的不同能量。EDXRF 系统的分辨率取决于检测仪,通常范围为 150 eV - 600
2019-05-09
X射线衍射 (XRD) 依赖于 X 射线的双波/颗粒性质来获得关于晶体材料结构的信息。该技术的主要用途是根据其衍射图对化合物进行鉴定和特性描述。当单色 X 射线的入射束与目标材料相互作用时,发生的显性效应是,这些 X 射线从目标材料内的原子进行散射。在具有规则结构(即晶体)的材料中,散射的 X 射线会经历相长干涉和相消干涉。这就是衍射的过程。晶体对 X 射线的衍射遵循布拉格定律,nλ = 2dsi
2019-05-09
势阱收集的是电子,对P-Si衬底来说,是P型半导体的少子。由于热激发,P型半导体总会有少量的电子生成,其数量与温度密切相关,230K~300K范围内少子数量与温度(K)的近似关系如下: 暗电流越小越好,一般以每秒每像素多少个电子给出。Greateyes GE-VAC 1024 256 BI UV1暗噪声0.0005 e-/pixel/sec @ -80℃热激发产生的电子是一种噪声,称为暗噪声(Da
2018-12-04