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![像素读出频率的限制]()
像素读出频率的限制
下限：为避免热激发产生的电子（暗电流）的影响，要求电荷包从一个栅极转移到下一个栅极所用时间t必须小于暗电子（P-Si少子）的平均寿命τi，平均寿命与温度相关，温度越高，寿命越短。对三相耦合读出结构来说，读出频率： &nbs
2020-03-02
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![面阵CCD的体系结构]()
面阵CCD的体系结构
从前文可知，获取一幅图像的过程包括图像获取（曝光）和图像读出。因此，根据CCD感光单元（像素）和读出电路布局的不同，主要有3种不同的体系结构。1. 隔列转移（Interline-Transfer）像素与转移单元交替排列。像素曝光结束后，将电荷包转移到转移单元，可迅速开始下一次曝光。曝光期间，转移单元将电
2020-03-02
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![Binning – 像素联用]()
Binning – 像素联用
Binning – 像素联用分为硬件Binning和软件Binning。科学级CCD通常都提供硬件Binning功能。硬件Binning：将几个像素的信号在读出之前相加，这种方式减少了读出次数，因而减少了读出噪声，提高了信噪比。硬件Binning是在移位寄存器中完成的。如下图，假设要进行4像素联用，下图红色虚框所示：读出过程如下：1. &n
2020-03-02
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![寄存器满井容量(Register full well capacity)]()
寄存器满井容量(Register full well capacity)
因为硬件Binning在移位寄存器内完成电荷包的相加，因此，寄存器的满井容量也是一项性能指标。寄存器满井容量一般是像素满井容量的几倍。如Greateyes GE-VAC 1024 256 BI UV1像素满井容量为500ke，寄存器满井容量为1,000ke因此，硬件Binning时，要避免寄存器满井溢出，尤其是使用很多个像素联用时，需要特别注意。
2020-03-02
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![CCD噪声(read noise)]()
CCD噪声(read noise)
CCD噪声CCD的噪声主要来自两个方面：l 一个是CCD器件自身所固有的噪声，如光电子数量起伏噪声、暗电流噪声、电荷转移噪声、读出放大器复位噪声、模拟-数字转换量化噪声、行转移时钟和水平移位寄存器驱动时钟之间的串扰导致的噪声等。l 另一个方面就是CCD工作过程中的外界各种噪声干扰，即随机噪声。1. &nb
2020-03-02
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![信噪比（Signal/Noise Ratio)]()
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![CCD相机和CMOS相机的比较]()
CCD相机和CMOS相机的比较
什么是CMOSCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)是互补金属氧化物半导体。CMOS相机原理框图如下：CMOS相机主要组成部分是像敏单元阵列和MOS场效应管集成电路，这两部分是集成在同一块硅片上。也就是是说，每个像素包括两个部分：感光部分 – 像敏单元将光转换成点信号，信号预处理部分 – MOS场效应管。像素也是排成阵列，与CCD不同，每个像素都
2020-03-02
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![CCD动态范围（Dynamic Range）]()
CCD动态范围（Dynamic Range）
CCD动态范围（Dynamic Range）是指： 能够探测到的最大光强（曝光量）和最小光强的比值。DR = （Nwell - Ndark）/σread，其中Nwell：满井电子数，Ndark：暗电子数。从上式可以看出，动态范围主要的影响因素是读出噪声。
2020-03-02
