激光直写
2025-02-13 13:52:44
unistar
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依托尖端设备和丰富的经验，我们能够为客户提供从设计到成品的一站式解决方案，涵盖电子束光刻、激光直写、X射线光刻、双光子聚合、极紫外激光干涉光刻、紫外光刻、电镀等多种核心技术。产品线包括菲涅耳波带片、纳米级光栅、金刚石光学器件、纳米分辨率测试卡、3D分辨率测试卡等。菲涅耳波带片分辨率可低至<10nm，凭借独特的 Ir-线倍增技术，可以获得精确到 5nm 的 X 射线束聚焦。
激光直写
通过聚焦的激光束诱导材料发生物理或化学变化（如烧蚀、分解、聚合等），从而实现微纳米级结构的精确制造。该技术无需掩膜版，可灵活控制激光参数，相比电子束光刻，它具有更高的材料兼容性和更快的加工速度，适合大规模生产。
Heidelberg DWL66+ 200mm Direct Laser Writer 直写激光系统
高精度激光写入，单点特征尺寸低至300nm。
应用：
微透镜阵列
衍射光学元件（DOE）
全息图等2.5D拓扑结构的制造
DWL66fs UV 直写激光系统
波长355nm的激光可用于模式化高灵敏度SU-8光刻胶，厚度远超电子束光刻所能实现的范围。精确控制由干涉测量法实现，确保高精度。
应用：
高对比度X射线掩模的直接CAD数据图案化。
复杂微透镜阵列和衍射光学元件的制造。