实验室X射线相衬成像技术—核心调制和探测器件技术分析(下)
上篇我们谈到了使用毛细管调制来提高光源利用率以及采用单光栅/掩模法来降低系统复杂度的两种思路,下面我们来谈谈关于光栅/微结构技术指标权衡、高能大视场器件选择的其他思路。
2.1
大视场光栅/微结构—成本vs指标
不同厚度金箔的X射线能量透过率
透过率对边缘增强效果的影响
周期:3±0.1μm;占空比:0.5±0.05;光栅面积:50mm x 50mm;光栅厚度:25-29μm
2.2
二维光栅/微结构—成本vs指标
不同厚度金箔的 X 射线能量透过率
结合实际应用场景,选择合适的技术路线和技术参数,将微结构尺度控制在15-30μm 范围,深宽比甚至可以达到30;那么无论是从技术实行难度还是成本方面,都是非常有意义的。这些能力也完全能够支撑边缘照明技术路线的微结构制作。可以看到,400μm 的厚度,完全可以支撑 60-80keV 的高能应用。
高纵横比针孔
3.1
高能大视场相衬的技术路线和器件简析
光栅法相衬成像
但这种方式牺牲了一维方向上的视场。既然光栅这条路不好走,那么我们可能需要转换思路。
对于光源来说,100KV 以上的微焦点光源是可以获得的,但是其光通量必然较低。在高投影放大倍数的情况下,落到每一个像素的光子数极其有限。显然,如果要用同轴法来实现高能的宽视场相衬成像,对探测器的要求有:小像素、低串扰以保证高空间分辨、高能高灵敏响应以保证实验效率、视场大小则制约样品尺寸。
8μm 像素的直接探测型4K芯片
a-Se CMOS 探测器 BrillianSe™
APS 线站上进行分辨率测试的装置照片及测试结果:
APS Beamline 1-BM;21keV, 250ms, 100帧平均;JIMA RT RC-05分辨率测试卡
可以看到:无论是 8μm 的高分辨线对卡,还是 15-30μm 的低分辨卡,强度调制都非常明显。说明 BrillianSe™ 的空间分辨能力非常优秀。
接下来通过刀边成像,提取线分布函数:
146pixels x 274-pixels ROI
可以看到:其半高全宽为 9.7μm,仅为像素尺寸的1.1倍。而同样是 9μm 像素的间接探测 CCD 相机参数:其点扩散(FWHM = 27μm),一般是像素尺寸的 3 倍。所以,这个数据再次说明,直接探测型 a-Se CMOS 探测器的空间分辨能力是非常优越的。
同时,这款探测器是直接探测,具有天然的灵敏度优势,其采用100μm 厚的 a-Se 传感器,高能响应可以覆盖100keV。所以,该款探测器为高能宽视场同轴相衬成像的实现提供了可能。
a-Se CMOS 探测器 BrillianSe™ 测试结果:
陶瓷封装的内部 IC 直径为 24μm 的金属线
直径为 8μm 的软排线
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